Вчені з Фуданьського університету встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши флеш-пам’ять, яка може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей пристрій, названий PoX, є енергонезалежним і перевершує навіть найшвидші сучасні енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Для порівняння, одна пікосекунда – це тисяча наносекунд або трильйонна частина секунди. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації умов тестування та прискорення розвитку технології. Команда зараз працює над перетворенням цього пристрою на комерційний продукт, і результати дослідження були опубліковані в журналі Nature.
